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IRF9Z14SPBF
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
1830 Pcs Novo Original Em Estoque
P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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IRF9Z14SPBF
Visão Geral do Produto
12867628
DiGi Electronics Número da Peça
IRF9Z14SPBF-DGFabricante
Vishay Siliconix
IRF9Z14SPBF
Descrição
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAKInventário
1830 Pcs Novo Original Em Estoque
P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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IRF9Z14SPBF Especificações Técnicas
Categoria
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
270 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IRF9Z14
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Baixar IRF9Z14SPBF Especificação do Produto (PDF)
Folhas de dados
IRF9Z14S,L, SiHF9Z14S,L
Folha de Dados HTML
IRF9Z14SPBF-DG
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informação Adicional
Outros nomes
*IRF9Z14SPBF
Pacote padrão
50
Peças alternativas
NÚMERO DA PEÇA
FABRICANTE
QUANTIDADE DISPONÍVEL
NÚMERO DA PEÇA
PREÇO UNITÁRIO
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Reviews
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Kerzu 02, 2025
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Kerzu 02, 2025
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Kerzu 02, 2025
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Kerzu 02, 2025
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Kerzu 02, 2025
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Kerzu 02, 2025
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Kerzu 02, 2025
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Kerzu 02, 2025
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Perguntas Frequentes (FAQ)
Quais são as principais características do MOSFET IRF9Z14SPBF?
O IRF9Z14SPBF é um MOSFET de canal P com classificação de tensão de 60V e corrente contínua de dreno de 6,7A. Possui encapsulamento D2PAK de montagem em superfície, baixa Rds(on) de 500mΩ em 4A e 10V, sendo adequado para diversas aplicações de commutação de potência.
O IRF9Z14SPBF é compatível com os projetos de circuitos padrão?
Sim, o IRF9Z14SPBF foi desenvolvido para facilitar sua integração em circuitos padrão, apresentando encapsulamento de montagem em superfície TO-263 e uma tensão de condução máxima de 10V, tornando-o compatível com circuitos comuns de acionamento de gate.
Quais são as aplicações típicas do MOSFET IRF9Z14SPBF?
Este MOSFET é ideal para gerenciamento de energia, comutação de cargas, controle de motores e aumento de eficiência em dispositivos eletrônicos devido à sua alta capacidade de corrente e baixa Rds(on).
O IRF9Z14SPBF requer cuidados especiais na instalação ou manuseio?
Como um componente de montagem em superfície, deve ser manuseado com precauções adequadas contra descargas eletrostáticas (ESD) e soldado usando técnicas apropriadas para garantir operação confiável e evitar danos.
Que tipo de garantia e suporte acompanha o IRF9Z14SPBF após a compra?
O IRF9Z14SPBF é um produto novo e original, disponível em grande quantidade, geralmente acompanhado de garantias padrão do fabricante e suporte técnico. Recomenda-se verificar com o fornecedor os detalhes específicos de garantia.
Garantia de Qualidade (QC)
DiGi garante a qualidade e autenticidade de cada componente eletrónico através de inspeções profissionais e amostragem em lote, assegurando uma proveniência fiável, desempenho estável e conformidade com especificações técnicas, ajudando os clientes a reduzir riscos na cadeia de abastecimento e a usar componentes com confiança na produção.
IRF9Z14SPBF CAD Models
Vishay Siliconix IRF9Z14SPBF PCB symbols & footprints
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