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Inspeção visual e de embalagem
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IRFI820G
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
15791 Pcs Novo Original Em Estoque
N-Channel 500 V 2.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
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IRFI820G
Visão Geral do Produto
12867712
DiGi Electronics Número da Peça
IRFI820G-DGFabricante
Vishay Siliconix
IRFI820G
Descrição
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3Inventário
15791 Pcs Novo Original Em Estoque
N-Channel 500 V 2.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Quantidade
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IRFI820G Especificações Técnicas
Categoria
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
360 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
30W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número do produto base
IRFI820
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Baixar IRFI820G Especificação do Produto (PDF)
Folhas de dados
IRFI820G
Folha de Dados HTML
IRFI820G-DG
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informação Adicional
Outros nomes
*IRFI820G
Pacote padrão
1,000
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Kerzu 02, 2025
Every interaction with their customer service was professional and helpful, making me a happy first-time buyer.
Kerzu 02, 2025
Customer support is proactive, ensuring issues are addressed before they escalate.
Kerzu 02, 2025
Excellent communication from support and swift delivery made this experience perfect.
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Perguntas Frequentes (FAQ)
Quais são as principais características do MOSFET IRFI820G?
O IRFI820G é um MOSFET de canal N com uma tensão nominal de 500V e uma corrente contínua de dreno de 2,1A. Projetado para aplicações de comutação em altas tensões, apresenta um encapsulamento TO-220-3, facilitando a montagem em perfuração.
O MOSFET IRFI820G é adequado para circuitos de potência de alta tensão?
Sim, com uma tensão de dreno para origem de 500V, o IRFI820G é ideal para fontes de alimentação de alta tensão e circuitos inversores que requerem comutação eficiente de altas voltagens.
Qual a faixa de temperatura de operação do MOSFET IRFI820G?
O IRFI820G opera de forma eficiente em uma faixa de temperatura de -55°C a 150°C, tornando-o adequado para diversas aplicações industriais e de potência.
Como controlar o MOSFET IRFI820G em meu circuito?
O IRFI820G necessita de uma tensão de acionamento de gate por volta de 10V para um desempenho ótimo de Rds(on). Assegure-se de que seu circuito forneça a tensão adequada ao gate e inclua medidas de proteção adeq\u0
O MOSFET IRFI820G possui garantia ou suporte pós-venda?
O IRFI820G é fornecido como novo, original e ativo, normalmente acompanhado de suporte padrão do fabricante. Consulte seu fornecedor para informações específicas sobre garantia ou suporte pós-venda.
Garantia de Qualidade (QC)
DiGi garante a qualidade e autenticidade de cada componente eletrónico através de inspeções profissionais e amostragem em lote, assegurando uma proveniência fiável, desempenho estável e conformidade com especificações técnicas, ajudando os clientes a reduzir riscos na cadeia de abastecimento e a usar componentes com confiança na produção.
IRFI820G CAD Models
Vishay Siliconix IRFI820G PCB symbols & footprints
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