SIR640DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIR640DP-T1-GE3

Visão Geral do Produto

13007916

DiGi Electronics Número da Peça

SIR640DP-T1-GE3-DG
SIR640DP-T1-GE3

Descrição

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Inventário

RFQ Online
N-Channel 40 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Quantidade
Mínimo 1

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SIR640DP-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalagem -

Série TrenchFET®

Empacotamento Tape & Reel (TR)

Status da peça Obsolete

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 40 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 60A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (máx) @ id 2.3V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs 113 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 4930 pF @ 20 V

Recurso FET -

Dissipação de energia (máx.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)

Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor PowerPAK® SO-8

Pacote / Estojo PowerPAK® SO-8

Número do produto base SIR640

Folha de Dados & Documentos

Desenhos do produto

PowerPak SO-8 Drawing

Folha de Dados HTML

SIR640DP-T1-GE3-DG

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informação Adicional

Outros nomes
SIR640DPT1GE3
SIR640DP-T1-GE3TR
SIR640DP-T1-GE3CT
SIR640DP-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
FABRICANTE
QUANTIDADE DISPONÍVEL
NÚMERO DA PEÇA
PREÇO UNITÁRIO
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
SIR640ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
RFQ Online
SIR640ADP-T1-GE3-DG
0.73
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