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SQ4917CEY-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
4780 Pcs Novo Original Em Estoque
Mosfet Array 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
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SQ4917CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix
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SQ4917CEY-T1_GE3

Visão Geral do Produto

12989655

DiGi Electronics Número da Peça

SQ4917CEY-T1_GE3-DG
SQ4917CEY-T1_GE3

Descrição

MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC

Inventário

4780 Pcs Novo Original Em Estoque
Mosfet Array 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
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SQ4917CEY-T1_GE3 Especificações Técnicas

Categoria Transistores, FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET

Fabricante Vishay

Embalagem Tape & Reel (TR)

Série TrenchFET®

Status do produto Active

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Configuração 2 P-Channel (Dual)

Recurso FET -

Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 60V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 4.3A, 10V

vgs(th) (máx) @ id 2.5V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 1910pF @ 30V

Potência - Máx. 5W (Tc)

Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)

Grau Automotive

Qualificação AEC-Q101

Tipo de montagem Surface Mount

Pacote / Estojo 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacote de dispositivos do fornecedor 8-SOIC

Número do produto base SQ4917

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

SQ4917CEY

Folha de Dados HTML

SQ4917CEY-T1_GE3-DG

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informação Adicional

Outros nomes
742-SQ4917CEY-T1_GE3TR
742-SQ4917CEY-T1_GE3CT
742-SQ4917CEY-T1_GE3DKR
Pacote padrão
2,500

Peças alternativas

NÚMERO DA PEÇA
FABRICANTE
QUANTIDADE DISPONÍVEL
NÚMERO DA PEÇA
PREÇO UNITÁRIO
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
SQ4917EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
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Prevenção de falsificação e defeitos

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Inspeção visual e de embalagem

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