SIZ900DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIZ900DT-T1-GE3

Visão Geral do Produto

12786736

DiGi Electronics Número da Peça

SIZ900DT-T1-GE3-DG
SIZ900DT-T1-GE3

Descrição

MOSFET 2N-CH 30V 24A 6PWRPAIR

Inventário

RFQ Online
Mosfet Array 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™
Quantidade
Mínimo 1

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SIZ900DT-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET

Fabricante Vishay

Embalagem -

Série TrenchFET®

Status do produto Obsolete

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Configuração 2 N-Channel (Half Bridge)

Recurso FET Logic Level Gate

Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 24A, 28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 19.4A, 10V

vgs(th) (máx) @ id 2.4V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 1830pF @ 15V

Potência - Máx. 48W, 100W

Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem Surface Mount

Pacote / Estojo 6-PowerPair™

Pacote de dispositivos do fornecedor 6-PowerPair™

Número do produto base SIZ900

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

SIZ900DT

Folha de Dados HTML

SIZ900DT-T1-GE3-DG

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informação Adicional

Outros nomes
SIZ900DT-T1-GE3DKR
SIZ900DTT1GE3
SIZ900DT-T1-GE3CT
SIZ900DT-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
FABRICANTE
QUANTIDADE DISPONÍVEL
NÚMERO DA PEÇA
PREÇO UNITÁRIO
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
FDMS7602S
onsemi
1180
FDMS7602S-DG
0.53
MFR Recommended
FDMS3604S
onsemi
RFQ Online
FDMS3604S-DG
0.50
MFR Recommended
STL66DN3LLH5
STMicroelectronics
RFQ Online
STL66DN3LLH5-DG
0.81
MFR Recommended
SIZ710DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
16612
SIZ710DT-T1-GE3-DG
0.51
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