SISF00DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SISF00DN-T1-GE3

Visão Geral do Produto

12787103

DiGi Electronics Número da Peça

SISF00DN-T1-GE3-DG
SISF00DN-T1-GE3

Descrição

MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12

Inventário

20549 Pcs Novo Original Em Estoque
Mosfet Array 30V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Quantidade
Mínimo 1

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SISF00DN-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET

Fabricante Vishay

Embalagem Tape & Reel (TR)

Série TrenchFET® Gen IV

Status do produto Active

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Configuração 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Recurso FET -

Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (máx) @ id 2.1V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 2700pF @ 15V

Potência - Máx. 69.4W (Tc)

Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem Surface Mount

Pacote / Estojo PowerPAK® 1212-8SCD Dual

Pacote de dispositivos do fornecedor PowerPAK® 1212-8SCD Dual

Número do produto base SISF00

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

SISF00DN

Folha de Dados HTML

SISF00DN-T1-GE3-DG

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
REACH Status REACH info available upon request
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informação Adicional

Outros nomes
SISF00DN-T1-GE3CT
SISF00DN-T1-GE3DKR
SISF00DN-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Certificação DIGI
Blogs & Publicações