SIHG70N60EF-GE3 Vishay Siliconix
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SIHG70N60EF-GE3

Visão Geral do Produto

12787317

DiGi Electronics Número da Peça

SIHG70N60EF-GE3-DG
SIHG70N60EF-GE3

Descrição

MOSFET N-CH 600V 70A TO247AC

Inventário

RFQ Online
N-Channel 600 V 70A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Quantidade
Mínimo 1

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SIHG70N60EF-GE3 Especificações Técnicas

Categoria FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalagem Tube

Série -

Status do produto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 600 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 70A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 35A, 10V

vgs(th) (máx) @ id 4V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±30V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 7500 pF @ 100 V

Recurso FET -

Dissipação de energia (máx.) 520W (Tc)

Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor TO-247AC

Pacote / Estojo TO-247-3

Número do produto base SIHG70

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

SIHG70N60EF

Folha de Dados HTML

SIHG70N60EF-GE3-DG

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informação Adicional

Pacote padrão
25
Certificação DIGI
Blogs & Publicações