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Inspeção visual e de embalagem
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SI7997DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
17233 Pcs Novo Original Em Estoque
Mosfet Array 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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SI7997DP-T1-GE3
Visão Geral do Produto
12786528
DiGi Electronics Número da Peça
SI7997DP-T1-GE3-DGFabricante
Vishay Siliconix
SI7997DP-T1-GE3
Descrição
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8Inventário
17233 Pcs Novo Original Em Estoque
Mosfet Array 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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SI7997DP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
Transistores, FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Embalagem
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6200pF @ 15V
Potência - Máx.
46W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8 Dual
Número do produto base
SI7997
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Baixar SI7997DP-T1-GE3 Especificação do Produto (PDF)
Folhas de dados
SI7997DP
Folha de Dados HTML
SI7997DP-T1-GE3-DG
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informação Adicional
Outros nomes
SI7997DP-T1-GE3DKR
SI7997DP-T1-GE3TR
SI7997DP-T1-GE3CT
SI7997DPT1GE3
Pacote padrão
3,000
Peças alternativas
NÚMERO DA PEÇA
FABRICANTE
QUANTIDADE DISPONÍVEL
NÚMERO DA PEÇA
PREÇO UNITÁRIO
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Kerzu 02, 2025
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Kerzu 02, 2025
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Perguntas Frequentes (FAQ)
Quais são as principais características do conjunto de Mosfets Vishay SI7997DP-T1-GE3?
O conjunto de Mosfets Vishay SI7997DP-T1-GE3 é uma matriz dupla de Mosfets P-channel projetada para aplicações de montagem em superfície, oferecendo uma tensão máxima de dreno-fonte de 30V, corrente contínua de dreno de 60A e resistência Rds(on) baixa de 5,5mΩ a 20A. Ele vem em um pacote PowerPAK® SO-8 Dual, adequado para circuitos de alta potência e comutação de alta velocidade.
Como posso usar os Mosfets Vishay SI7997DP-T1-GE3 nos meus projetos eletrônicos?
Estes Mosfets são ideais para gerenciamento de energia, comutação de cargas e controle de motores, onde são necessárias troca eficiente e baixas perdas por condução. Seu design de montagem em superfície os torna perfeitos para placas de circuito compacto e de alto desempenho.
O conjunto de Mosfets Vishay SI7997DP-T1-GE3 é compatível com processos padrão de soldagem em superfície?
Sim, o conjunto de Mosfets apresenta um pacote PowerPAK® SO-8 Dual compatível com técnicas padrão de soldagem em superfície, garantindo fácil integração em projetos modernos de PCB.
Quais são as vantagens de usar a tecnologia TrenchFET® da Vishay neste conjunto de Mosfets?
A tecnologia TrenchFET® oferece menor Rds(on), maior eficiência e desempenho aprimorado na comutação, ajudando a reduzir a dissipação de calor e aumentando a confiabilidade geral em aplicações de potência.
O Vishay SI7997DP-T1-GE3 acompanha garantia ou suporte pós-venda?
Como um produto novo, original e disponível em estoque, geralmente oferece suporte do fabricante e conformidade com os padrões RoHS3, garantindo qualidade do produto e segurança ambiental. Verifique com seu fornecedor as políticas específicas de garantia.
Garantia de Qualidade (QC)
DiGi garante a qualidade e autenticidade de cada componente eletrónico através de inspeções profissionais e amostragem em lote, assegurando uma proveniência fiável, desempenho estável e conformidade com especificações técnicas, ajudando os clientes a reduzir riscos na cadeia de abastecimento e a usar componentes com confiança na produção.
SI7997DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SI7997DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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