1N65G UMW
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1N65G

Visão Geral do Produto

12991441

DiGi Electronics Número da Peça

1N65G-DG

Fabricante

UMW
1N65G

Descrição

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET

Inventário

2490 Pcs Novo Original Em Estoque
N-Channel 650 V 1A (Tj) Surface Mount SOT-223
1N65G Folha de Dados
Quantidade
Mínimo 1

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1N65G Especificações Técnicas

Categoria FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante UMW

Embalagem Tape & Reel (TR)

Série UMW

Status do produto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 650 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 1A (Tj)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 11Ohm @ 500mA, 10V

vgs(th) (máx) @ id 4V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs 4.8 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±30V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 150 pF @ 25 V

Recurso FET -

Dissipação de energia (máx.) -

Temperatura de operação 150°C (TJ)

Tipo de montagem Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor SOT-223

Pacote / Estojo TO-261-4, TO-261AA

Folha de Dados & Documentos

Folha de Dados HTML

1N65G-DG

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
REACH Status REACH Unaffected
ECCN EAR99

Informação Adicional

Outros nomes
4518-1N65GCT
4518-1N65GDKR
4518-1N65GTR
Pacote padrão
2,500
Certificação DIGI
Blogs & Publicações