NP35N055YUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation
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NP35N055YUK-E1-AY

Visão Geral do Produto

12976316

DiGi Electronics Número da Peça

NP35N055YUK-E1-AY-DG
NP35N055YUK-E1-AY

Descrição

MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON

Inventário

5000 Pcs Novo Original Em Estoque
N-Channel 55 V 35A (Tc) 1W (Ta), 97W (Tc) Surface Mount 8-HSON (5x5.4)
Quantidade
Mínimo 1

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  • 5000 0.64 3187.52
  • 12500 0.62 7705.00
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NP35N055YUK-E1-AY Especificações Técnicas

Categoria FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Embalagem Tape & Reel (TR)

Série -

Status do produto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 55 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 35A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 18A, 10V

vgs(th) (máx) @ id 4V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 3360 pF @ 25 V

Recurso FET -

Dissipação de energia (máx.) 1W (Ta), 97W (Tc)

Temperatura de operação 175°C

Tipo de montagem Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor 8-HSON (5x5.4)

Pacote / Estojo 8-PowerLDFN

Número do produto base NP35N055

Folha de Dados & Documentos

Folha de Dados HTML

NP35N055YUK-E1-AY-DG

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
REACH Status REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informação Adicional

Outros nomes
559-NP35N055YUK-E1-AYCT
559-NP35N055YUK-E1-AY
559-NP35N055YUK-E1-AY-DG
-1161-NP35N055YUK-E1-AYCT
559-NP35N055YUK-E1-AYDKR
559-NP35N055YUK-E1-AYTR
Pacote padrão
2,500
Certificação DIGI
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