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onsemi
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
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N-Channel 60 V 12A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) Surface Mount DPAK
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STDV3055L104T4G

Visão Geral do Produto

12859524

DiGi Electronics Número da Peça

STDV3055L104T4G-DG

Fabricante

onsemi
STDV3055L104T4G

Descrição

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

Inventário

5742 Pcs Novo Original Em Estoque
N-Channel 60 V 12A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) Surface Mount DPAK
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STDV3055L104T4G Especificações Técnicas

Categoria Transistores, FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante onsemi

Embalagem -

Série -

Status do produto Obsolete

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 60 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 12A (Ta)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 104mOhm @ 6A, 5V

vgs(th) (máx) @ id 2V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V

Vgs (máx.) ±15V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 440 pF @ 25 V

Recurso FET -

Dissipação de energia (máx.) 1.5W (Ta), 48W (Tj)

Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor DPAK

Pacote / Estojo TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Número do produto base STDV3

Folha de Dados & Documentos

Folha de Dados HTML

STDV3055L104T4G-DG

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
REACH Status REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informação Adicional

Outros nomes
1990-STDV3055L104T4GCT
2156-STDV3055L104T4G-OS
STDV3055L104T4G-DG
STDV3055L104T4GOSDKR
NTDV3055L104T4G-DG
ONSONSSTDV3055L104T4G
STDV3055L104T4GOSTR
STDV3055L104T4GOSCT
1990-STDV3055L104T4GDKR
1990-STDV3055L104T4GTR
Pacote padrão
2,500

Peças alternativas

NÚMERO DA PEÇA
FABRICANTE
QUANTIDADE DISPONÍVEL
NÚMERO DA PEÇA
PREÇO UNITÁRIO
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
IRLR024
Vishay Siliconix
16040
IRLR024-DG
0.0016
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Himm***blick
Kerzu 02, 2025
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Joyfu***urney
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Perguntas Frequentes (FAQ)

Quais são as principais características do MOSFET onsemi STDV3055L104T4G de canal N?

O STDV3055L104T4G é um MOSFET de canal N com uma tensão máxima de 60V e corrente contínua de dreno de 12A. Apresenta uma resistência Rds On baixa de 104mΩ com uma corrente de 6A e tensão de acionamento de 5V, tornando-o adequado para várias aplicações de comutação de potência. Foi projetado para montagem em superfície no encapsulamento DPAK.

Esse MOSFET onsemi STDV3055L104T4G é adequado para aplicações de alta temperatura?

Sim, esse MOSFET pode operar em temperaturas que variam de -55°C até 175°C, suportando ambientes de alta temperatura. Além disso, possui uma dissipação máxima de potência de 48W na junção, garantindo desempenho confiável sob stress térmico.

Quais são as utilizações típicas do MOSFET STDV3055L104T4G em circuitos eletrônicos?

Este MOSFET de canal N é comumente utilizado em comutação de potência, controle de motores e circuitos de fonte de alimentação devido à sua alta capacidade de corrente e baixa resistência Rds On. Seu encapsulamento DPAK de montagem em superfície o torna ideal para dispositivos eletrônicos compactos.

O que devo saber sobre compatibilidade e montagem deste MOSFET?

O STDV3055L104T4G possui o encapsulamento DPAK (TO-252-3), projetado para montagem em superfície em placas de circuito impresso. É compatível com processos padrão de montagem de superfície, facilitando sua integração em diversos projetos.

Este MOSFET STDV3055L104T4G oferece suporte e garantia, e há opções alternativas?

Este MOSFET é um produto novo, original, com estoque disponível para compra imediata. Caso necessário, opções substitutas como IRLR024 e NTD3055L104T4G também estão disponíveis para atender a diferentes especificações ou preferências.

Garantia de Qualidade (QC)

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